[미디어펜=조우현 기자]SK하이닉스가 26일 세계 최초로 128단 1테라비트(Tbit) TLC 4D 낸드플래시 메모리를 개발하고 양산에 돌입했다고 밝혔다. 이는 지난해 10월 96단 4D 낸드 개발 이후 8개월만의 성공이다.

128단은 업계 최고 적층 수준으로 하나의 칩에 3비트(bit)를 저장하는 낸드 셀 3600억개로 구성된 제품이다. 낸드플래시는 비휘발성 메모리로 전원이 꺼져도 데이터가 안전하게 저장된다. 

낸드플래시는 평면 구조였던 2D 시절을 지나 3D(3차원) 시절부터 반도체를 수직으로 쌓아올리기 시작했다. 

SK하이닉스는 여기에 자체 기술인 PUC를 적용, 기술 수준을 한단계 더 끌어올렸는데 이를 4D라 지칭한다. PUC는 셀을 관장하는 주변부 회로를 저장공간 아래에 배치해 효율성을 끌어올린 방식이다. 

이번에 개발된 제품은 웨이퍼당 생산성도 96단 4D 낸드플래시보다 40% 향상됐다. 또 동일한 4D 플랫폼을 활용, 전체 공정수를 줄였다. 이로써 기존보다 뛰어난 성능의 저전력 SSD 구현도 가능해진 셈이다.

SK하이닉스는 2020년 상반기 차세대 UFS 3.1 제품을 개발해 스마트폰에 공급할 예정이다. 계획이 예정대로 진행될 경우 2테라바이트(TB) 용량을 지닌 스마트폰 구현도 가능해질 것으로 예상된다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 “128단 4D 낸드로 하이닉스는 낸드 사업의 근원적 경쟁력을 확보하게 됐다”며 “업계 최고 적층, 최고 용량을 구현한 제품으로 고객들이 원하는 다양한 솔루션을 적기에 제공할 것 이라고 말했다.