삼성전자는 세계 최초로 3차원 ‘실리콘 관통전극(TSV)’ 적층 기술을 적용한 64기가바이트(GB) DDR4 서버용 D램 모듈 양산을 시작했다고 27일 밝혔다.

이번 삼성전자의 64GB DDR4 D램 모듈은 20나노급 4GB D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품이다.

▲ 삼성전자 제공

TSV는 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단을 전극으로 연결하는 기술이다.

이 같은 최첨단 기술 적용으로 기존 와이어를 이용한 패키징 방식에 비해 속도와 소비전력을 크게 개선할 수 있다고 회사 측은 설명했다.

삼성전자는 이번 모듈과 올 하반기 출시되는 글로벌 IT업체들의 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규 시장을 적극 공략할 예정이다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 메모리 마케팅팀 상무는 “향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 차세대 라인업을 한 발 앞서 출시해 제품 경쟁력을 강화하고 글로벌 메모리 시장이 지속성장하는데 주도적인 역할을 할 것”이라고 말했다.

한편 올해 D램 시장규모는 386억달러에 달하며 그 중 서버시장이 20% 이상의 비중을 차지할 것으로 전망된다. [미디어펜=유경아 기자]