삼성전자는 세계 최초로 20나노10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 21일 밝혔다.

20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품으로 프리미엄 서버시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품이다.

▲ 삼성전자가 세계 최초로 20나노10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다./삼성전자 제공

지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 '20나노 D램 시대'를 주도할 라인업을 구축했다.

20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.

기존 4기가비트 제품은 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능하지만 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 TSVTSV(실리콘관통전극, Through Silicon Via) 기술을 접목해 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있다.

실리콘관통전극은 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술이다. 기존 방식(와이어)에 비해 속도, 소비전력을 개선할 수 있다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 상무는 "이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 '고성능, 고용량, 저전력' 특성을 모두 만족시킨 제품"이라고 말했다.

이어 "앞으로 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 갈 방침이다. [미디어펜=이미경 기자]