[미디어펜=조한진 기자]반도체 시장의 주도권 다툼이 격화하는 가운데 삼성전자의 ‘초격차’ 전략이 업그레이드 되고 있다. 삼성전자는 메모리와 비메모리에서 선단 공정 도입을 서두르면서 시장 지배력을 강화한다는 계획이다.

12일 업계에 따르면 삼성전자는 메모리와 파운드리 사업에서 차별화 공정을 통한 기술 리더십 확보에 주력하고 있다.

최근 글로벌 반도체 시장은 기술 경쟁이 더욱 가열되고 있다. 미국 등 경제 대국들이 미래 시장 선점에 초첨을 맞추는 가운데 반도체 기술력은 사실상 국가 전략자산으로 분류되는 상황이다. 여기에 메모리 반도체 시장의 다운 사이클 진입 등 변동성까지 확대되는 모습이다.

삼성전자는 최근 선단 공정을 적용한 제품 양산과 생산계획을 발표하면서 차별화에 집중하고 있다. 앞으로 5G·AI·메타버스 등 미래 시장에서 필요한 제품을 적기에 공급해 시장 경쟁력을 강화한다는 전략을 세우고 있다.

이날 삼성전자는 EUV(극자외선) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노 D램 양산에 들어갔다고 밝혔다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 이 제품은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 삼성전자 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 우선 적용한다. 삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해, DDR5 D램 대중화를 선도한다는 계획이다.

삼성전자는 파운드리에서도 미세공정을 주도한다는 방침이다. 최근 삼성전자는 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 'GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획'과 '17나노 신공정 개발' 등을 소개했다.

GAA는 전력효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 기술로 평가 받는다.

우선 삼성전자는 내년 상반기 GAA 기술을 3나노에 도입할 예정이다. 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산을 계획하고 있다.

특히 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상고 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상된다.

아울러 삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술도 지속적으로 개선하고 있다. 최근 포럼에서는 핀펫 기반 17나노 신공정을 발표했다.

17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43%가 감소될 것으로 기대되고 있다.