[미디어펜=조한진 기자] 삼성전자가 메모리 반도체 불황속에서 ‘기술 차별화’에 집중하고 있다. 차세대 D램과 낸드의 역량을 확대해 미래 시장 리더십을 강화한다는 전략이다.

삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신 설계 등을 통해 업계 최선단 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다.

이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 예상된다.

삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다.

앞서 삼성전자는 지난달 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에도 돌입했다.

삼성전자 '1Tb TLC 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도의 고용량제품으로, 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다. 8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 '토글 DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상됐다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.

삼성전자는 데이터의 이동, 저장, 처리, 관리 각 분야에 맞는 혁신적인 반도체 솔루션을 통해 인공지능, 머신러닝, 고성능 컴퓨팅 등 다양한 시장을 선도해 나간다는 전략을 추진하고 있다.