• UPDATE : 2021.09.18 16:23 토
> 사회
고려대 연구진, 3차원 나노포러스 구조체 이용 메모리 제작
승인 | 류용환 기자 | fkxpfm@mediapen.com
폰트키우기 폰트줄이기 프린트하기
 승인 2015-08-12 09:14:10
트위터 페이스북 밴드 카카오스토리
   
 

[미디어펜=류용환 기자] 고려대학교 KU-KIST 융합대학원은 왕건욱 교수 연구팀이 탄탈륨 옥사이드(Ta2O5−x)와 그래핀을 이용해 메모리 셀들을 트랜지스터 없이 독립적으로 구동 시킬 수 있는 3차원 나노포러스 구조체 기반의 ‘Selector-less 메모리’ 제작에 성공했다고 12일 밝혔다.

Selector-less 메모리는 추가적인 어드레싱 소자 없이 셀간의 상호 작용을 억제 시킬 수 있어 소자 구조의 단순성, 공정 비용·수율, 저온 공정 등의 장점을 가지고 있다.

왕 교수팀은 미국 라이스대 연구팀과 함께 양극 산화 방법을 이용, 세계 최초로 3차원 네트워크 형태의 나노포어 Ta2O5−x selector-less 메모리 소재 및 소자를 개발했다.

양극 산화 방법 금속 표면의 산화층을 증가시키는 방법 중 하나로 전해질 내에 양극와 원하는 금속 소재를 연결하고 전압과 전류를 걸어주면 포러스 형태의 금속 산화물이 금속 표면에 형성된다.

연구진은 이번에 개발한 3차원 네트워크 형태의 나노포어 Ta2O5−x를 이용해 저항 변화 메모리로 응용한 결과 어드레싱 소자 없이 ~162Gbit까지 이 소재로 집적화 시킬 수 있다는 것을 확인했다.

왕 교수는 “나노기술 및 소재 간 융합으로 이번에 제안된 소재 및 소자 구조는 지금까지 산화물 메모리가 가지는 집적도 보다 고집적으로 응용 될 수 있어서 다음 세대 메모리 응용분야에서 역할을 할 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

이번 연구결과는 국제학술지 ‘나노 레터스(Nano Letters)’ 8월4일자 온라인판에 게재됐다. 

서울특별시 종로구 새문안로3길 30 세종로대우빌딩 복합동 508호  |  회사직통번호 : 02)6241-7700  |  팩스 : 02)6241-7708
정기간행물ㆍ등록번호 : 서울 아 00574 | 등록일.발행일 2008.5.8   |  발행인 : 이의춘 | 편집인·편집국장 : 민병오 | 청소년보호책임자:김사성
Copyright © 2013 미디어펜. All rights reserved.