[미디어펜=조우현 기자]3박 5일간의 네덜란드 출장을 마치고 귀국한 이재용 삼성전자 회장이 출장 성과와 관련해 “반도체가 거의 90%”라고 밝혔다. 

이재용 회장은 15일 네덜란드 국빈 방문 동행 일정을 마치고 서울김포비즈니스항공센터(SGBAC)를 통해 입국하며 이 같이 밝혔다. 

앞서 이 회장은 지난 12일부터 윤 대통령의 네덜란드 국빈방문 일정에 동행했다. 이번 출장을 통해 네덜란드 반도체 장비 업체 ASML을 찾아 ‘반도체 기업인 간담회’를 열고 양국 반도체 동맹을 굳건히 했다.

특히 1조 원대 규모의 차세대 반도체 제조 기술 R&D(연구개발)센터를 국내에 설립하는 업무협약(MOU) 체결은 이번 순방의 대표적 성과로 꼽힌다.

ASML은 전 세계에서 유일하게 극자외선(EUV) 노광장비를 생산하는 기업이다. EUV 1대당 2000~4000억원에 달하는 장비지만 연간 약 50대만 생산해 공급이 수요를 따라가지 못하는 ‘품귀 현상’을 빚고 있다. 

7나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 이하의 초미세 공정을 구현하려면 EUV 장비를 필수로 사용해야 한다. 특히 ASML의 차세대 EUV 장비인 '하이 NA(High NA)'는 1나노 미만의 미세공정을 구현하는 데 필수적인 장비다.

이날 이 회장과 귀국길을 동행한 경계현 삼성전자 DS(반도체)부문 대표이사(사장)은 경쟁사보다 장비를 빨리 들여올 수 있느냐는 질문에 “여러 툴(장비)이 있지만 EUV가 가장 중요한 툴이기 때문에 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 든든한 우군을 확보했다”며 “빨리 들여온단 관점보단 공동 연구를 통해 협력 관계를 맺는 게 더 중요하다고 본다”고 말했다.

이어 “경기도 동탄에 공동연구소를 짓고 하이 NA EUV 노광장비를 들여와 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어가 함께 기술개발하는 게 주목적”이라며 “하이 NA EUV에 대한 기술적 우선권을 삼성전자가 갖게 될 것 같고 장기적으로 D램 등에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다”며 협약 성과에 대한 소회를 밝혔다.

한편, 삼성전자는 전날 이 회장의 귀국에 앞서 내년 사업계획을 논의하는 글로벌 전략회의를 시작했다. 14일 전사와 모바일경험(MX)사업부가 회의를 가진 데 이어 이날은 영상디스플레이(VD)와 생활가전(DA)사업부, 19일에는 DS 부문이 각각 회의를 연다. 

이재용 회장은 예년과 마찬가지로 회의에 직접 참석하지 않되 추후 사업전략 등을 보고 받을 것으로 보인다.