▲ 최영진 세종대 교수

[미디어펜=류용환 기자] 세종대학교는 나노신소재공학과 최영진 교수 연구팀이 ‘유무기 복합 페로브스카이트를 이용한 저항변화메모리 소자’ 제조 기술을 세계 최초로 개발했다고 27일 밝혔다.

유무기복합 페로브스카이트는 높은 빛-전기 변환효율을 가지고 있으며 화학적인 방법을 통한 저가 제조가 가능해 태양전지 분야에서 각광 받고 있는 신물질로 유연성 및 투명성을 갖춰 미래 플렉시블 디바이스에 적용될 수 있는 메모리소자로 기대되고 있다.

하지만 차세대 메모리 후보군인 저항변화메모리 분야에 적용된 예는 아직까지 없었다.

유무기복합 페로브스카이트를 화학적인 방법으로 제조한 최 연구팀은 이를 기반으로 기존 저항변화메모리 소자에 낮은 동작전압과 높은 재현성을 갖는 메모리 소자를 개발, 기존 광전변환 특성에만 연구의 초점이 맞춰져 있던 유무기복합 페로브스카이트 물질을 이용해 동작특성이 우수한 비휘발성 저항변화 메모리 소자를 제작할 수 있다는 가능성을 제시했다.

최 교수는 “이번 연구는 태양전지 분야에 초점이 맞춰져 있던 유무기복합 페로브스카이트에 대한 연구의 흐름을 메모리 측면에서 재조명할 수 있는 발상의 전환을 이루어냈다는 점에서 의의가 있다”고 말했다.

미래유망융합기술파이오니어사업(생체신호제어나노소자융합연구단)의 지원을 받아 수행된 이번 연구 결과는 재료과학분야 국제학술지 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’ 10월28일자 온라인판 표지 논문으로 선정됐다