DB하이텍, 세계 최초 '8인치 SiC 파운드리' 턴키 구축… 2027년 양산

[미디어펜=조우현 기자]국내 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반의 1200V 탄화규소(SiC) 모스펫(MOSFET) 공정 신뢰성 검증을 마치고, 2027년 상용 양산을 목표로 차세대 전력반도체 파운드리 사업에 속도를 낸다.

9일 DB하이텍에 따르면 SiC는 기존 실리콘(Si) 반도체 대비 초고온과 고전압을 견디는 내구성이 뛰어나 전기차, 신재생에너지 인프라, 산업용 고전압 전력기기의 핵심 부품으로 급부상한 차세대 소재다. 

현재 글로벌 SiC 시장은 6인치 웨이퍼가 주류를 이루고 있으나 생산성 혁신과 칩당 원가 절감을 위해 8인치로의 전환이 가속화되는 추세다. DB하이텍은 이러한 기술 전환 흐름을 선제적으로 읽고 8인치 SiC 공정 기술 고도화에 주력해 왔다.

특히 DB하이텍은 세계 최초로 8인치 1200V SiC 파운드리 일괄(Turn-key) 공정 체제를 완성했다. 칩 설계 지원부터 웨이퍼 가공, 특성 평가 및 까다로운 신뢰성 검증까지 원스톱으로 지원할 수 있는 풀 서비스 인프라를 갖춘 것이 강점이다.

사업 본격화를 뒷받침할 고객 지원책도 가동한다. DB하이텍은 자체 개발한 1·2세대 1200V SiC MOSFET 공정설계키트(PDK)를 팹리스 고객사에 제공하기 시작했으며, 오는 11월에는 성능을 한 단계 높인 3세대 PDK를 추가로 공개할 예정이다. 

팹리스 기업은 최적화된 PDK를 활용해 시제품 제작 기간을 크게 앞당김으로써 신제품 개발 일정을 1년 이상 단축할 수 있다.

현재 배포 중인 2세대 공정은 게이트 전압 18V 환경에서 비저항 2.5 mΩ·cm² 이하, 문턱전압 3V 이상의 뛰어난 전기적 특성을 구현해 업계 최고 수준의 기술 장벽인 신뢰성 평가를 통과했다. 

11월 선보일 3세대 공정은 비저항을 2.3 mΩ·cm² 이하로 낮추고 단락 발생 시 소자가 버틸 수 있는 단락안전 동작시간(SCWT) 2.5μs 이상을 확보해 한층 강력한 내구성을 선보일 계획이다.

DB하이텍은 올해 3분기 기존 파운드리 전략 고객사를 대상으로 선행 공정 셋업을 완료한 뒤, 2027년 2분기부터 글로벌 전 고객사를 대상으로 8인치 SiC 양산 서비스를 전면 확대할 방침이다.

업계에서는 이번 성과를 두고 DB하이텍이 진입 장벽이 높은 8인치 대구경 SiC 전력반도체 시장에서 글로벌 선도 주자들과 대등한 양산 기술력을 입증했다고 보고 있다. 

6인치에서 8인치로의 전환 국면에서 일괄 양산 체제를 세계 최초로 선점함으로써 폭발적으로 성장하는 글로벌 전기차 및 에너지 시장의 파운드리 수주 경쟁에서 확고한 우위를 점할 것이라는 평가다.

DB하이텍 관계자는 "이번 공정 신뢰성 검증 완료는 8인치 SiC 파운드리 양산에 필요한 핵심 기술과 생산 기반을 성공적으로 안착시켰다는 데 큰 의의가 있다"며 "2027년 본격적인 양산 체제를 차질 없이 가동해 시장을 선점하고 차세대 전력반도체 파운드리 리더십을 공고히 다져나갈 것"이라고 강조했다.