SK하이닉스, 차세대 AI 메모리 ‘HBM4E’ 12단 샘플 공급…시장 선점 가속화

[미디어펜=조우현 기자]SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에게 공급하며 AI 메모리 시장에서의 기술 리더십 굳히기에 나섰다.

SK하이닉스는 그간 축적해온 고대역폭메모리(HBM) 선행 개발 역량과 생산 노하우를 집약한 차세대 HBM4E 12단 샘플을 핵심 고객사들에 선보였다고 18일 밝혔다. 글로벌 빅테크 기업을 포함한 주요 파트너사들과 협업하며 적기 양산 체제 구축에 만전을 기하겠다는 방침이다.

이번에 선보인 HBM4E는 이전 세대인 HBM4 제품과 비교해 성능과 에너지 효율 측면을 한 단계 더 진화시킨 것이 특징이다. 방대한 데이터 처리가 필수적인 AI 고성능 컴퓨팅 환경에 맞춰 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다.

동시에 에너지 효율을 기존 대비 20% 이상 개선함으로써 고질적인 AI 데이터센터의 전력 소모 문제를 완화하는 데 기여할 것으로 보인다. 

또한 최신 인터페이스 표준 사양과 설계 최적화 기술을 적용해 데이터 전송 지연(Latency)을 줄이고 고대역폭 환경에서도 높은 동작 안정성을 확보했다. 차세대 대규모 컴퓨팅 인프라의 처리 효율을 대폭 끌어올릴 수 있을 것으로 기대를 모으는 이유다.

제품의 신뢰성을 높이기 위한 공정 혁신도 두드러진다. SK하이닉스는 HBM4E에 독자적인 ‘어드밴스드(Advanced) MR-MUF’ 공정을 적용했다. 반도체 칩을 쌓은 후 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정을 통해 12단 적층 기준 단일 패키지에서 총 48GB(기가바이트)의 대용량을 구현해냈다.

특히 대규모 연산 시 치명적인 방열 문제를 획기적으로 다스렸다. 이번 신제품은 HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮추는 데 성공해, 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 과열 없이 안정적으로 구동될 수 있도록 구조적 안정성을 강화했다.

업계에서는 HBM3, HBM3E, HBM4 등 전 세대에 걸쳐 SK하이닉스가 쌓아온 양산·공급 경험과 시장에서 검증된 품질 역량이 이번 HBM4E 시장 대응에서도 강력한 무기가 될 것으로 보고 있다. 

SK하이닉스는 고객 맞춤형 최적의 메모리 솔루션을 적기에 제공해 차세대 AI 인프라 구현의 최대 걸림돌인 '병목 현상'을 고객과 함께 해소해 나갈 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "파트너들과의 긴밀한 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, ‘풀 스택 AI 메모리 크리에이터(Full Stack AI Memory Creator)’로서의 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 강조했다.