[미르의 알기쉬운 비즈니스] ‘반도체 코리아’ 추격하는 中·日…중국은 1%까지, 일본은 5조엔 베팅

[미디어펜=편집국]세계 메모리 반도체 시장을 장악해 온 '반도체 코리아'를 향해 중국과 일본이 동시에 추격의 고삐를 죄고 있다. 중국은 막대한 정부 지원과 내수시장을 등에 업고 D램 기술 격차를 빠르게 좁히고 있고, 한때 세계 반도체 시장을 호령했던 일본은 천문학적인 투자를 앞세워 낸드플래시에서 반격에 나섰다.

특히 최근 해외에서 잇따라 나온 두 소식은 한국 반도체가 처한 상황을 상징적으로 보여준다. 중국 창신메모리(CXMT)의 최신 DDR5가 벤치마크 테스트에서 SK하이닉스 제품과의 성능 차이를 약 1% 안팎까지 좁혔다는 평가가 나온 가운데 일본 키옥시아와 미국 샌디스크는 2032년까지 일본에 총 5조엔을 투자하기로 했다.

인공지능(AI) 열풍의 핵심인 고대역폭메모리(HBM)에서는 SK하이닉스와 삼성전자 등 한국 기업들이 세계 시장을 주도하고 있지만 시야를 메모리 전체로 넓히면 이야기가 달라진다. 범용 D램에서는 중국이 아래에서 치고 올라오고 있고 낸드에서는 일본이 대규모 증설과 기술 투자로 한국을 추격하고 있다. 'HBM 강국'이라는 화려한 성적표 뒤에서 한·중·일 메모리 패권 경쟁이 다시 뜨거워지는 모습이다.

China and Japan are stepping up their efforts to catch South Korea, which has long dominated the global memory semiconductor market. Backed by massive government support and a huge domestic market, China is rapidly narrowing the technology gap in DRAM, while Japan, once the world's semiconductor powerhouse, is mounting a comeback in NAND flash memory through enormous investment.

Two recent developments overseas illustrate the changing landscape facing Korea's semiconductor industry. China's ChangXin Memory Technologies, or CXMT, has reportedly narrowed the performance gap between its latest DDR5 memory and SK hynix products to around 1% in benchmark tests. Meanwhile, Japan's Kioxia and U.S.-based SanDisk plan to invest a combined ¥5 trillion in Japan through 2032.

Korean chipmakers such as SK hynix and Samsung Electronics currently lead the global market for high-bandwidth memory, or HBM, which has become critical to the artificial intelligence boom. But the picture looks different when viewed across the broader memory market. China is advancing from below in commodity DRAM, while Japan is pursuing Korea in NAND through massive capacity expansion and technology investment. Behind Korea's impressive HBM leadership, a new three-way memory battle among Korea, China and Japan is taking shape.

중국 메모리 업체를 바라보는 기존 공식은 '낮은 가격과 막대한 물량'이었다. 그러나 CXMT의 최근 행보는 이 같은 인식이 더 이상 안전하지 않을 수 있음을 보여준다.

대만 반도체 전문매체 디지타임스(DIGITIMES)가 27일 전한 벤치마크 결과에 따르면 CXMT의 최신 DDR5 메모리는 8000MT/s에서 안정적으로 작동했으며 일부 생산성 및 게임 성능 테스트에서 SK하이닉스 최신 M-die와의 격차가 약 1% 안팎에 그친 것으로 나타났다.

단일 벤치마크 결과만으로 CXMT가 SK하이닉스의 D램 기술력을 따라잡았다고 단정할 수는 없다. 수율과 전력 효율, 생산비용, 대량생산 안정성 등 실제 메모리 경쟁력을 결정하는 요소가 훨씬 많기 때문이다.

그럼에도 이번 결과가 주목되는 것은 중국 D램의 추격전이 단순한 생산능력 확대를 넘어 '성능 경쟁' 단계까지 올라오고 있음을 보여주는 하나의 신호라는 점이다.

CXMT는 모바일 D램 등으로도 영역을 넓히고 있다. 중국 스마트폰과 반도체 생태계를 발판으로 자국 내 공급망을 구축한 뒤 글로벌 시장으로 영향력을 확대한다면 삼성전자와 SK하이닉스가 장악해온 범용 D램 시장의 경쟁구도도 달라질 가능성이 있다.

특히 한국 기업들이 수익성이 높은 HBM과 첨단 D램에 투자를 집중하는 동안 중국 업체들이 범용 D램 시장에서 점유율을 확대할 경우 글로벌 메모리 시장이 '한국의 첨단 제품-중국의 범용 제품'으로 양분되는 상황도 배제하기 어렵다.

The conventional view of Chinese memory chipmakers has centered on two strengths: low prices and massive production volumes. CXMT's latest progress, however, suggests that this assumption may no longer be safe.

According to benchmark results reported by Taiwanese semiconductor publication DIGITIMES on Aug. 27, CXMT's latest DDR5 memory operated stably at 8,000 MT/s, with the performance gap against SK hynix's latest M-die narrowing to around 1% in some productivity and gaming tests.

A single benchmark result does not mean that CXMT has caught up with SK hynix's overall DRAM technology. Actual competitiveness in memory semiconductors depends on many other factors, including manufacturing yields, power efficiency, production costs and mass-production stability.

Nevertheless, the results are significant because they suggest that China's DRAM push is moving beyond simply expanding production capacity and entering the stage of direct performance competition.

CXMT is also expanding into mobile DRAM. If the company can establish a domestic supply chain by leveraging China's vast smartphone and semiconductor ecosystem before expanding its influence globally, the competitive landscape in commodity DRAM — long dominated by Samsung Electronics and SK hynix — could begin to change.

As Korean chipmakers concentrate their investment on highly profitable HBM and advanced DRAM, Chinese companies could gain greater share in mainstream DRAM. Over time, that could create a more polarized global memory market, with Korea dominating premium products while China takes a larger portion of commodity memory.

중국의 무기가 기술 추격과 거대한 내수시장이라면 일본은 대규모 투자와 정부 지원을 앞세우고 있다.

키옥시아와 샌디스크는 2032년까지 일본 내 생산시설과 첨단 메모리 기술 등에 총 5조엔을 투자할 계획이다. 핵심 생산거점인 욧카이치와 기타카미의 생산능력을 확대하고 기타카미에는 2029회계연도 가동을 목표로 새로운 생산시설도 구축한다.

AI 데이터센터 확산으로 대용량·고성능 저장장치 수요가 급증할 것으로 예상되는 가운데 차세대 낸드 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스에 밀리지 않겠다는 장기 승부수다.

일본은 과거 세계 반도체 시장을 지배했다. 1980년대 후반 세계 반도체 시장 상위권을 일본 기업들이 휩쓸었지만 이후 한국과 대만 업체들에 주도권을 내줬다. 메모리 시장에서도 일본 기업의 존재감은 크게 약화됐다.

그러나 낸드는 다르다. 도시바의 메모리 사업을 계승한 키옥시아는 여전히 세계 낸드 시장의 핵심 사업자 가운데 하나다. 일본 정부 역시 반도체를 경제안보의 핵심 산업으로 규정하고 생산시설과 연구개발에 막대한 지원을 쏟아붓고 있다.

여기에 AI가 새로운 기회를 제공하고 있다. 생성형 AI와 데이터센터 시장이 확대될수록 HBM뿐 아니라 데이터를 저장하는 고성능·대용량 낸드 수요 역시 늘어날 수밖에 없다. 일본 입장에서는 AI 시대가 메모리 반도체 패권에 다시 도전할 수 있는 절호의 기회인 셈이다.

While China's weapons are rapid technological progress and its enormous domestic market, Japan is relying on massive investment and government support.

Kioxia and SanDisk plan to invest a combined ¥5 trillion in Japanese production facilities and advanced memory technologies through 2032. They plan to expand capacity at their key manufacturing bases in Yokkaichi and Kitakami, while a new production facility in Kitakami is targeted to begin operations in fiscal 2029.

The investment represents a long-term bet aimed at ensuring that the companies do not fall behind Samsung Electronics and SK hynix in next-generation NAND as the expansion of AI data centers drives rapidly increasing demand for high-capacity, high-performance storage.

Japan once dominated the global semiconductor industry. In the late 1980s, Japanese companies occupied many of the top positions in the worldwide chip market before losing leadership to companies in Korea and Taiwan. Their presence in memory semiconductors also declined significantly.

NAND, however, is different. Kioxia, which inherited Toshiba's memory business, remains one of the world's major NAND suppliers. The Japanese government has also designated semiconductors as a strategic industry for economic security and is providing substantial support for manufacturing facilities and research and development.

AI is now providing Japan with a new opportunity. As generative AI and data centers expand, demand will grow not only for HBM but also for high-performance, high-capacity NAND needed to store enormous amounts of data. For Japan, the AI era could therefore provide a rare opportunity to challenge again for leadership in memory semiconductors.

현재 세계 AI 메모리 시장의 중심에 한국이 있다는 데는 이견이 많지 않다. 특히 SK하이닉스는 HBM 시장에서 강력한 경쟁력을 확보했고 삼성전자 역시 차세대 HBM과 첨단 D램에 대규모 투자를 이어가고 있다.

하지만 HBM만 보고 한국 메모리 산업 전체의 경쟁력을 판단하는 것은 위험하다.

메모리 산업의 또 다른 거대한 시장인 범용 D램에서는 중국이 빠르게 기술 격차를 좁히고 있다. 낸드에서는 키옥시아를 중심으로 일본이 생산능력 확대와 차세대 기술 개발에 대규모 자금을 투입하고 있다.

흥미로운 것은 중국과 일본의 추격 방식이 전혀 다르다는 점이다.

중국은 정부 지원과 거대한 내수시장을 바탕으로 생산량을 늘린 뒤 기술 수준을 끌어올리는 전략을 취하고 있다. 반면 일본은 기존의 낸드 기술력과 소재·장비 생태계에 정부 지원과 대규모 투자를 결합해 고부가 시장을 공략하고 있다.

한국 입장에서는 양쪽 모두 부담이다.

중국이 범용 D램의 가격과 시장점유율을 흔들 경우 삼성전자와 SK하이닉스의 전통적인 수익 기반이 압박받을 수 있다. 동시에 일본이 AI 데이터센터용 고부가 낸드에서 경쟁력을 끌어올리면 한국 업체들은 첨단 메모리에서도 더 치열한 경쟁을 벌여야 한다.

결국 '반도체 코리아'의 진짜 시험대는 HBM에서 현재의 우위를 얼마나 오래 유지하느냐에만 있지 않다.

HBM과 차세대 D램에서는 누구도 쉽게 따라올 수 없는 기술 격차를 만들어야 하고, 범용 D램에서는 중국의 저가·물량 공세에 대응할 원가 경쟁력을 확보해야 한다. 동시에 낸드에서도 AI 시대에 맞는 고부가 제품으로 일본의 추격을 따돌려야 한다.

세계 메모리 시장을 둘러싼 경쟁의 시계가 다시 빨라지고 있다. 중국은 '1%'까지 거리를 좁히고 있고 일본은 '5조엔'이라는 거대한 승부수를 던졌다.

HBM에서 앞서 있다고 안심하기에는 '반도체 코리아'를 향한 중국과 일본의 추격 속도가 심상치 않다.

Few would dispute that Korea currently sits at the center of the global AI memory market. SK hynix in particular has established a powerful position in HBM, while Samsung Electronics continues to invest heavily in next-generation HBM and advanced DRAM.

But judging the competitiveness of Korea's entire memory industry solely through HBM would be risky.

In commodity DRAM, another enormous segment of the memory industry, China is rapidly narrowing the technology gap. In NAND, Japan — led by Kioxia — is committing massive amounts of capital to expanding production capacity and developing next-generation technologies.

What makes the challenge particularly significant is that China and Japan are pursuing Korea in very different ways.

China is using government support and its enormous domestic market to expand production before steadily raising its technological capabilities. Japan, by contrast, is combining its existing NAND expertise and strong semiconductor materials and equipment ecosystem with government support and large-scale investment to target higher-value markets.

Both trends present challenges for Korea.

If China disrupts prices and market share in commodity DRAM, the traditional earnings base of Samsung Electronics and SK hynix could come under pressure. At the same time, if Japan strengthens its competitiveness in high-value NAND for AI data centers, Korean companies will face tougher competition even in advanced memory.

The real test for "Semiconductor Korea," therefore, is not simply how long it can maintain its current lead in HBM.

Korea must create a technological gap in HBM and next-generation DRAM that rivals cannot easily close, while maintaining the cost competitiveness needed to withstand China's price and volume offensive in mainstream DRAM. At the same time, it must keep Japan at bay in NAND by developing higher-value products tailored to the AI era.

The competitive clock in the global memory market is accelerating once again. China has narrowed the distance to "1%," while Japan has placed a massive "¥5 trillion" bet on its comeback.

Korea may be ahead in HBM today, but the speed at which China and Japan are pursuing "Semiconductor Korea" leaves little room for complacency.