SK하이닉스, '반도체 초격차' 위해 12조 통큰 베팅… EUV 장비 20대 도입

[미디어펜=조우현 기자]SK하이닉스가 미래 반도체 시장의 주도권을 굳히기 위해 12조 원 규모의 대규모 투자에 나선다. 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 대거 도입해 초미세 공정 경쟁력을 한 단계 끌어올린다는 전략이다.

SK하이닉스는 24일 공시를 통해 오는 2027년까지 약 12조 원을 투입해 ASML의 EUV 장비를 도입하겠다고 밝혔다. 업계에서는 도입 물량이 20대 안팎에 달할 것으로 보고 있다.

특히 이번 도입 명단에는 차세대 장비인 ‘하이 뉴메리컬어퍼처(High NA) EUV’가 일부 포함된 것으로 알려졌다. 이 장비는 기존 제품보다 회로를 1.7배 더 세밀하게 그려낼 수 있어, 반도체 제조의 한계를 돌파할 '치트키'로 불린다. 10나노미터(㎚) 이하의 초미세 공정을 구현하기 위해서는 반드시 필요한 장비다.

SK하이닉스의 이 같은 파격적인 투자는 최근 인공지능(AI) 열풍으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 폭발하고 있기 때문이다.

최태원 SK그룹 회장은 지난 16일(현지시간) 엔비디아 'GTC 2026'에서 "글로벌 메모리 반도체 공급난이 2030년까지 이어질 것"이라며 시장의 장기적인 호황을 예고한 바 있다. 첨단 메모리 없이는 AI 산업 자체가 굴러갈 수 없는 구조가 고착화되면서, 장비 선점이 곧 실적으로 이어지는 상황이다.

SK하이닉스는 확보한 EUV 장비를 활용해 10나노급 6세대(1c) 공정으로의 전환에 속도를 낼 방침이다. 이를 통해 서버, 모바일, 그래픽 D램 등 수익성이 높은 고성능 제품군에서 고객사 요구를 완벽히 충족하겠다는 구상이다.

아울러 당초 2027년 상반기로 예정됐던 용인 반도체 클러스터 1기 팹(Fab)의 가동 시점도 최대한 앞당기기로 했다. 시장 수요가 예상보다 빠르게 늘고 있는 만큼, 선제적인 설비 확충을 통해 '메모리 슈퍼 호황'의 최대 수혜자가 되겠다는 의지로 풀이된다.